GB/T 11164—1999 真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件
Vacuum coating plant generic specification
GB/T 11164—1999 真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T 11164-1989《真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件》進(jìn)行修訂而編制的。
在內(nèi)容上，對(duì)某些技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了修改.如:B類鍍膜設(shè)備抽氣時(shí)間從原來的15,20 min改為10min;增加了升壓率指標(biāo);并且由于原標(biāo)準(zhǔn)中C類鍍膜設(shè)備國內(nèi)已無生產(chǎn)廠生產(chǎn).在本次標(biāo)準(zhǔn)修訂中將C類產(chǎn)品取消。
本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起代替GB/T 11164-1989。
一、范圍
GB/T 11164—1999 真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了真空鍍膜設(shè)備技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于壓力在10-4- 10-3Pa范圍的蒸發(fā)類、濺射類、離子鍍類真空鍍膜設(shè)備(以下簡稱設(shè)備)
二、引用標(biāo)準(zhǔn)
下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效，所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。
GB 191-199 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志
GB/T 6070-1995 真空法蘭
GB/T 13384-1992 機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件
JB/T 7673-1995 真空設(shè)備型號(hào)編制方法
三、定義
本標(biāo)準(zhǔn)采用下列定義。
3.1 極限壓力
真空系統(tǒng)正常工作時(shí)，空載干燥的鍍膜室逐漸穩(wěn)定的最低壓力。單位:Pa,
3.2 抽氣時(shí)間
真空系統(tǒng)正常工作時(shí)，將空載干燥的鍍膜室從大氣壓(105Pa)抽到規(guī)定的壓力所需要的時(shí)間。單位:min。
3.3 升壓率
將空載干燥的鍍膜室連續(xù)抽氣至穩(wěn)定的最低壓力后，截止抽氣，在鍍膜室內(nèi)由于漏氣或內(nèi)部放氣所造成的單位時(shí)間的升壓。單位:Pa/h。
四、技術(shù)要求
1 設(shè)備正常工作條件
1.1 環(huán)境溫度:10-30'C.
1.2 相對(duì)濕度:不大于75%。
1.3 冷卻水進(jìn)水溫度:不高于25'C。
1.4 冷卻水質(zhì):城市自來水或質(zhì)量相當(dāng)?shù)乃?br />
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